Atomowa pamięć z Utah
20 grudnia 2010, 13:14Naukowcy z University of Utah stworzyli najprawdopodobniej najmniejszy w historii układ pamięci. Przez 112 sekund przechowywali dane w jądrze atomu, wykorzystując do tego celu spin. Później odczytali te informacje. Badania takie w przyszłości posłużą do stworzenia szybkich układów pamięci zarówno dla komputerów konwencjonalnych jak i dla maszyn kwantowych.
Pierwsza 3-bitowa pamięć zmiennofazowa
17 maja 2016, 12:00Naukowcy z IBM Research zaprezentowali pierwszy na świecie stabilny układ pamięci PCM (phase-change memory - pamięć zmiennofazowa), w którym można przechowywać 3 bity w komórce.
Początek sprzedaży układów DDR3
27 kwietnia 2007, 10:45Japońska filia Buffalo Technology poinformowała o rozpoczęciu sprzedaży pierwszych na rynku układów pamięci DDR3. Co prawda ich ceny odstraszają, a płyty główne zdolne do współpracy z nimi dopiero się pojawią, ale Buffalo wierzy, że dla zapalonych graczy nie stanowi to przeszkody.
IBM pokazał prototyp rewolucyjnego układu pamięci
6 grudnia 2011, 06:00Podczas IEEE International Electron Devices Meeting IBM zaprezentował pamięć typu racetrack. Została ona wykonana za pomocą standardowych metod produkcyjnych.
Pamięć z węglowych nanorurek gotowa do rynkowego debiutu
2 września 2016, 08:43Po ponad 15 latach prac badawczo-rozwojowych firmach Nantero ogłosiła, że pamięci NRAM CNT (carbon nanotubes) są gotowe do produkcji i mogą być używane w układach typu system-on-a-chip (SoC). Prace nad tego typu pamięciami rozpoczęły się w 2001 roku, a celem Nantero było stworzenie nieulotnych układów NRAM wykorzystujących węglowe nanorurki.
Kilkudziesięciordzeniowe procesory trafią do domów?
15 czerwca 2007, 10:37Specjaliści Intela pracują nad technologiami, które pozwolą na łatwiejsze oprogramowanie wielordzeniowych procesorów. I nie chodzi tutaj o procesory dwu- czy czterordzeniowe. Mowa o układach, które będą zawierały kilkadziesiąt rdzeni.
Ożywianie pamięci
3 grudnia 2012, 17:35Tajwańska firma Macronix poradziła sobie z największa wadą pamięci flash - jej niewielką żywotnością. Poszczególne komórki w pamięci flash przestają prawidłowo funkcjonować po około 10 000 cykli zapisu/odczytu. Inżynierowie z Macronix proponują rozwiązanie, które zwiększy żywotność flash do ponad 100 000 000 cykli.
Iterb nadzieją na budowę rozległych sieci kwantowych
24 lipca 2018, 12:57Zanim kwantowe systemy komunikacyjne i kryptograficzne staną się codziennością, naukowcy będą musieli pokonać wiele problemów. Jednym z nich jest stworzenie układów pamięci zdolnych do bezpiecznego przechowywania kwantowych informacji przenoszonych za pomocą światła.
Pamięć razy dwa
28 września 2007, 08:21Zespół naukowców z Northwestern University i NEC Laboratories America opracował technologię kompresji, która dwukrotnie zwiększa pojemność pamięci w systemach wbudowanych, takich jak telefony komórkowe czy aparaty.
Napięcie udoskonala MeRAM
17 grudnia 2012, 11:02Inżynierowie z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Los Angeles (UCLA) zastąpili przepływ elektronów napięciem elektrycznym i dokonali w ten sposób znacznego udoskonalenia pamięci MeRAM (magnetoelektryczna pamięć o swobodnym dostępie). MeRAM może w przyszłości zastąpić obecnie stosowane technologie pamięci
